به گزارش مرکز روابط عمومی و اطلاع رسانی معاونت علمی و فناوری ریاست جمهوری - بخش " انبیک " - در یک تحقیق جدید، پژوهشگران هِولِت‌پَکارد (Hewlett-Packard) در پالو آلتو، کالیفرنیا (Palo Alto, California) برای اولین بار یک مدار ترکیبی از ممریستور و ترانزیستور ساخته‌اند.در این ترکیب،با برگشت سیگنال منطقی به ممریستور، مدار می‌تواند خودش دوباره سیگنال را پیکربندی نماید.لذا، این فناورینوعی از مدارها را با نام مدارهای خودکار، پدید آورده‌است.
ممریستورها عناصر منفعلی هستند و نمی‌توانند به مدار انرژی بدهند. در نتیجه ممریستور باید در مدار با عناصر فعالی مانند ترانزیستور قرار گیرد تا آن عنصر سیگنال الکتریکی را تقویت نماید یا تغییر دهد. مداری شامل ممریستور و ترانزیستور علاوه بر بهبود عملکرد با عناصر کمتر، فضای تراشه و مصرف برق را به حداقل می‌رساند.
اِستَن ویلیامز از تیم هِولِت‌پَکارد می‌گوید: «حداقل دوازده ترانزیستور برای تقلید خواص الکتریکی یک ممریستور نیاز است. بنابراین برای مداری باتوابع مشابه عملکرد ممریستور، طراح می‌تواند برخی ترانزیستورهای فعال را با ممریستور تعویض نماید. بنابراین تراشه با عملکرد قبلی خود، تعداد کمتری ترانزیستوردارد. این کارفضا و مصرف توان را کم می‌کند.»
در این تحقیق، تیم پژوهشی یک لایه 20 نانومتری از نیمه هادی تیتانیوم دی اکسید را بین نانوسیم‌های عمودی و افقی قرار داد تا یک ممریستور تشکیل دهد. در پایان ممریستورها و ترانزیستورها را از طریق قطعات کوچک فلزیبه هم متصل کرد.
سپس پژوهشگران تجهیز خود را با اعمال یک تابع منطقی (AB + CD) از چهار پایانه ورودی ولتاژ (با چهار مقدار متفاوت) تست نمودند. نتایج از طریق ترانزیستور ارسال گردید؛ ترانزیستور سیگنال را تقویت نمود و سیگنال مشابه را برای برنامه‌ریزی به ممریستور برگرداند. به عبارت دیگر می‌توان گفت سیگنال خروجی از یک تابع منطقی از مدار ممریستور می‌تواند به‌منظوربرنامه‌ریزی مجددیک ممریستور برای عملیات جدید استفاده شود.
پژوهشگران امیدوارند که این نمونه اولیه از مدار ترکیبی ممریستور/ترانزیستور به یکپارچگی بیشتری از ممریستورها در مدارهای مرسوم با نیمه هادی‌های اکسید فلزی (CMOS circuits) منجر شود. همچنینمدارهای خودکار می‌توانند به معماری جدیدی مانند مدارهای سیناپسیسوق داده شوند.
منبع
http://phys.org/news/2009-02-self-programming-hybrid-memristortransistor-circuit-law.html
